一種物理氣相沉積法生長(zhǎng)大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝及其應(yīng)用
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發(fā)布時(shí)間：2019-08-29 11:36:46
一種物理氣相沉積法生長(zhǎng)大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝及其應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種物理氣相沉積法生長(zhǎng)大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝，包括收容碳化硅原料的坩堝桶和上蓋，在所述坩堝桶的內(nèi)壁上部和上蓋的外壁上設(shè)置有相互旋合的螺紋，所述上蓋和坩堝桶通過(guò)螺紋連接；在所述的坩堝桶內(nèi)壁上設(shè)置有放置多孔石墨板的定位塊；在定位塊上放置有多孔石墨板，所述多孔石墨板的外徑與坩堝桶的內(nèi)徑相適應(yīng)。本發(fā)明有效的避免了生長(zhǎng)過(guò)程中碳化硅原料的碳化對(duì)晶體生長(zhǎng)造成的影響，提高晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性和成功率。